TT Electronics代理 深圳市汇通创新科技有限公司
- 型号：D1028UK（金属栅RF硅FET，符合RoHS标准）
- 封装：金金属化多用途硅DMOS RF FET（推挽结构）
- 引脚定义：
- Pin 1: Source（公共端）
- Pin 2: Drain 1
- Pin 3: Drain 2
- Pin 4: Gate 2
- Pin 5: Gate 1
2. 关键参数
- 功率性能：
- 输出功率（Pout）：300W @ 175MHz
- 工作电压：28V
- 增益：≥13 dB（最小）
- 效率：60%（典型值）
- 频率范围：1MHz–200MHz（适用宽带应用）
- 容抗特性 1MHz）：
- 输入电容（Ciss）：360 pF
- 输出电容（Coss）：180 pF
- 反向传输电容（Crss）：15 pF
3. 极限参数
- 最大耗散功率：438W
- 击穿电压：
- 漏源极（BVDSS）：70V
- 栅源极（BVGSS）：±20V
- 最大漏极电流：30A（每侧）
- 工作温度：
- 结温（Tj）：200°C
- 存储温度：-65°C ~ 150°C
4. 应用场景
- 典型应用：VHF/UHF通信（175MHz频段）
- 优势：
- 简化放大器设计
- 低噪声、高增益
- 适合宽带匹配（负载失配容忍度20:1）
5. 热管理
